半导体器件建模仿真与分析教程

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　 ├─ 0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4 - 1.4G
　 ├─ 0002--4-2_版图绘制基础（上）.mp4 - 514.3M
　 ├─ 0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4 - 1.2G
　 ├─ 0005--4-5-工艺仿真基础（一）.mp4 - 1.6G
　 ├─ 0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4 - 1.3G
　 ├─ 0004--4-4-版图绘制（下）-派生图层与宏命令编写.mp4 - 1G
　 ├─ 0012--4-12_离子注入仿真（上）.mp4 - 702.8M
　 ├─ 0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4 - 706.5M
　 ├─ 0001--3-7-混合模式（二）-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4 - 1.3G
　 ├─ 0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4 - 650M
　 ├─ 0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真（单粒子效应与总剂量效应）.mp4 - 1.3G
　 ├─ 0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4 - 715.4M
　 ├─ 0001--3-4_物理模型（二）与温度仿真.mp4 - 1.2G
　 ├─ 0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4 - 1.2G
　 ├─ 0010--4-10-基于ICWBEV的工艺仿真（二）与光电二极管仿真.mp4 - 1001.7M
　 ├─ 0001--3-9-缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂量效应）.mp4 - 736M
　 ├─ 0011--4-11-sprocess结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS.mp4 - 1022.5M
　 ├─ 0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理（二）.mp4 - 1.5G
　 ├─ 0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4 - 1.1G
　 ├─ 0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率.mp4 - 677.9M
　 ├─ 0003--4-3-版图绘制（中）-Cell处理与实用小工具.mp4 - 1.2G
　 ├─ 0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4 - 1.7G
　 ├─ 0007--4-7-工艺仿真基础（三）(上).mp4 - 755.5M
　 ├─ 0001--3-10-交流小信号分析.mp4 - 993.9M
　 ├─ 0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4 - 1008.4M
　 ├─ 0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4 - 1.3G
　 ├─ 0008--4-8-工艺仿真基础（三）（下）.mp4 - 392.9M
　 ├─ 0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4 - 1.5G
　 ├─ 0001--3-3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4 - 1.2G
　 ├─ 0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4 - 662.6M
　 ├─ 0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4 - 529.7M
　 ├─ 0001--3-11-交流小信号分析（二）.mp4 - 960.8M
　 ├─ 0001--工艺仿真提前梳理（临时）.mp4 - 697.3M
　 ├─ 0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4 - 549.2M
　 ├─ 0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4 - 1.4G
　 ├─ 0006--4-6-工艺仿真基础（二）-Static与Adaptive网格设置.mp4 - 1.4G
　 ├─ 0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4 - 1G
　 └─ 0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4 - 955.5M